國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）22日公布最新出貨報(bào)告（BillingReport），今年8月北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨金額為21.82億美元，與7月的22.7億美元相比下滑3.96%，與去年同期的17.09億美元相比則成長(zhǎng)27.68%。

SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，8月份出貨金額相較于7月份有些微下滑，顯示今年初以來的強(qiáng)勁出貨力道有逐漸趨緩的趨勢(shì)，但整體而言今年每月的出貨金額仍明顯優(yōu)于去年水準(zhǔn)。

今年來由于大陸對(duì)半導(dǎo)體設(shè)廠持續(xù)積極，加上存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)τ?/span>3DNANDFlash及DRAM廠制程轉(zhuǎn)換及擴(kuò)廠動(dòng)作頻頻，因此法人對(duì)于相關(guān)設(shè)備廠漢唐、亞翔、家登、京鼎、帆宣、閎康及宜特等廠商業(yè)績(jī)也仍然看好，預(yù)期下半年仍可望繳出亮眼成績(jī)單。

事實(shí)上，今年以來存儲(chǔ)器價(jià)格飆漲，使存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為最熱門話題，各大存儲(chǔ)器原廠也對(duì)于后市表現(xiàn)抱持樂觀態(tài)度。法人表示，近來存儲(chǔ)器領(lǐng)域如DRAM、NANDFlash由于移動(dòng)設(shè)備及伺服器產(chǎn)業(yè)需求旺盛，三星、SK海力士及東芝等都在積極進(jìn)行3DNANDFlash良率提升，制程設(shè)備也開始由原先的2D汰換成3D制程。

至于DRAM領(lǐng)域，存儲(chǔ)器廠也開始進(jìn)行20納米制程微縮至1x/1y，存儲(chǔ)器龍頭廠三星今年也將規(guī)劃約26億美元在韓國華城廠的擴(kuò)廠計(jì)劃，對(duì)于設(shè)備廠而言無疑是一大喜訊。

邏輯晶圓產(chǎn)業(yè)部分，臺(tái)積電已經(jīng)規(guī)劃在明年上半年開始量產(chǎn)7納米制程，三星也緊追在后，英特爾也預(yù)計(jì)明年將開始量產(chǎn)10納米制程。其中，7納米制程升級(jí)版所需的極紫外光（EUV）設(shè)備也將在2019年量產(chǎn)出貨。

大陸近年來積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，今年也開始大興土木興建晶圓廠，且中國臺(tái)灣廠商臺(tái)積電、聯(lián)電及力晶等廠商今年也開始進(jìn)軍大陸，因此法人預(yù)期，未來大陸對(duì)于晶圓廠務(wù)及設(shè)備需求將可望是未來市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。