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全國半導體真空科學儀器暨第三屆銻化物半導體技術大會召開

7月28至30日,全國半導體真空科學儀器暨第三屆全國銻化物半導體與光機電系統(tǒng)集成大會在山西省晉城召開。本屆大會在國家自然科學基金委、科技部高技術中心、山西省政府的共同指導下召開;大會還得到山西省晉城市委、市政府的大力支持。



本次會議是繼2019年第二屆“全國銻化物半導體技術創(chuàng)新與應用發(fā)展”大會后的第三屆會議,由中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊發(fā)起。


沈?qū)W礎、陳良惠、范守善、祝世寧、雒建斌、劉明、彭練矛、張躍等學者到場,與各位參會專家、地方領導、企商代表就銻化物半導體基礎材料、光電器件、系統(tǒng)集成技術、半導體真空科學儀器進行了深入交流;對相關領域的技術迭代、發(fā)展路徑、現(xiàn)實困境等問題進行了全方位探討。


學者代表認為:銻化物半導體材料經(jīng)過近些年的迅猛發(fā)展,已搶占下一代半導體器件技術的發(fā)展先機,為紅外光電器件技術體系變革提供了新的戰(zhàn)略方向;半導體真空科學儀器設備自主制造迎來重大機遇。


自二十一世紀初,銻化物半導體納米低維結(jié)構(gòu)外延材料技術實現(xiàn)重大突破,促使紅外光電器件技術迅猛發(fā)展。對比傳統(tǒng)紅外光電材料,銻化物低維結(jié)構(gòu)材料可以覆蓋大部分紅外譜段,芯片制造技術適用于先進的III-V族半導體制造平臺技術,使得光電器件技術性能,特別是紅外焦平面探測器技術實現(xiàn)前所未有的突破。


短短數(shù)十年,銻化物半導體光電材料和器件技術“已經(jīng)走出實驗室”,為空間遙感、激光與衛(wèi)星通信、?;芳碍h(huán)境監(jiān)測檢測、成像制導夜視、生物醫(yī)學診斷等高端光電系統(tǒng)或裝備,提供高性能核心器件技術支撐。


由此,提速國產(chǎn)化進程,實現(xiàn)半導體設備的自主創(chuàng)新、國產(chǎn)替代;構(gòu)建完整的半導體產(chǎn)業(yè)鏈、形成良性生態(tài),已經(jīng)成為中國半導體行業(yè)的普遍共識。


目前,中國在半導體科技研究領域涉及面廣,科研水平日益提高,部分領域已與世界水平持平;科研投入量大,在規(guī)模上稱得上是半導體大國,但仍存在軟件工具、硬件設備對外依賴,成果轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)應用脫節(jié)等問題。唯有協(xié)同努力,開拓半導體科技創(chuàng)新發(fā)展之路,全面提振內(nèi)在實力,才能逐步擺脫封鎖,享有國際話語權(quán)。


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