半導(dǎo)體芯片是電子產(chǎn)品的核心，新能源汽車(chē)、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破不斷帶來(lái)新應(yīng)用場(chǎng)景，半導(dǎo)體需求不斷增長(zhǎng)，上游半導(dǎo)體材料需求也持續(xù)增加，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）在最新《半導(dǎo)體材料市場(chǎng)報(bào)告》[1]中指出：

2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)年增長(zhǎng)率為8.9%，營(yíng)收達(dá)727億美元

?     超越2021年創(chuàng)下668億美元的市場(chǎng)最高紀(jì)錄

?     2022年晶圓制造材料和封裝材料營(yíng)收分別達(dá)到447億美元和280億美元，成長(zhǎng)10.5%和6.3%

?     硅晶圓、電子氣體和光罩等領(lǐng)域在晶圓制造材料市場(chǎng)中成長(zhǎng)表現(xiàn)最為穩(wěn)健

[1] https://www.c114.com.cn/market/39/a1234847.html

行業(yè)分析指出，先進(jìn)制程的制造需求和新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)更高性能的要求，半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)將進(jìn)一步投入相關(guān)技術(shù)研發(fā)，在改善現(xiàn)有材料工藝以提升純度等參數(shù)，幾個(gè)關(guān)鍵工藝，需要特別關(guān)注。

單晶硅制備-精準(zhǔn)控溫

制備單晶硅的方法有直拉法（ CZ 法）、區(qū)熔法（ FZ 法）等，高純度、性能優(yōu)良的單晶硅棒的制備，需要準(zhǔn)確控制工藝溫度參數(shù)，從而準(zhǔn)確掌握晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的加熱情況。

實(shí)際應(yīng)用中，針對(duì)單晶生長(zhǎng)爐，需要通過(guò)小尺寸的窗口對(duì)其真空腔室內(nèi)部的加熱器和坩堝進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)溫。

解決方案

MI31001M 高溫計(jì)

?     紅外測(cè)溫1μm 的波長(zhǎng)，傳感器能夠透過(guò)石英窗測(cè)量加熱器以及坩堝的溫度，讀數(shù)不受熱源輻射影響；

?     使用定制光學(xué)器件，可以良好的適應(yīng)觀察孔尺寸小，內(nèi)部保溫層開(kāi)孔尺寸有限制的客觀要求。

晶片拋光-精準(zhǔn)測(cè)溫

加工芯片前，需對(duì)芯片進(jìn)行拋光，在此過(guò)程中，晶片必須保持在較低的溫度，避免過(guò)熱和變形，晶片的尺寸越大，晶片的平整度要求越高，而且大尺寸的晶片原料價(jià)值高，更要避免高溫導(dǎo)致拋光過(guò)程中晶片報(bào)廢的情況。

解決方案

Thermalert®4.0 LT 測(cè)溫儀

?     8-14μm 的波長(zhǎng)，通過(guò)準(zhǔn)確測(cè)量晶片表面液體的溫度，從而測(cè)量晶片溫度；

?     連續(xù)監(jiān)測(cè)拋光液的溫度，從而保證晶片處于合適溫度。

化學(xué)氣相沉積法(CVD)-精準(zhǔn)測(cè)溫

薄膜沉積的化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸汽，以合理的氣流引入工藝腔室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面上沉積薄膜。該工藝制備的薄膜具有很好的化學(xué)配比，針孔數(shù)量少，具有應(yīng)力控制能力，但對(duì)工藝參數(shù)，如溫度、壓強(qiáng)、流場(chǎng)等的變化較為敏感，因此需要精準(zhǔn)測(cè)量該工藝中基材的溫度。