近日，上海精測(cè)半導(dǎo)體向華東晶圓制造大客戶(hù)交付了光學(xué)形貌量測(cè)TGTM系列中的TG 300IF設(shè)備。
TG 300IF由上海精測(cè)半導(dǎo)體光學(xué)事業(yè)部形貌量測(cè)團(tuán)隊(duì)歷時(shí)三年開(kāi)發(fā)完成，為IC和晶圓制造商提供全面的晶圓平坦度、納米形貌數(shù)據(jù)，可以用于測(cè)量應(yīng)力誘導(dǎo)的晶圓形狀，晶圓形狀引起的套刻補(bǔ)償，晶圓厚度變化以及晶圓正面和背面的形貌。測(cè)量數(shù)據(jù)可用于制造工藝的在線(xiàn)監(jiān)控，并且可以實(shí)現(xiàn)更快速的良率提升、疊加控制以及光刻聚焦窗口控制。
可以說(shuō)，TG 300IF填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中硅片形貌測(cè)量類(lèi)設(shè)備的空白,增強(qiáng)了國(guó)產(chǎn)設(shè)備在此領(lǐng)域的自主性。
隨著半導(dǎo)體器件尺寸不斷縮小，晶圓翹曲、平整度及表面形貌的差異對(duì)集成電路制造工藝——特別是對(duì)光刻工藝的影響尤為顯著，因此晶圓表面量測(cè)需求大幅升級(jí)。在28nm節(jié)點(diǎn)，先進(jìn)光刻光學(xué)系統(tǒng)的焦深將縮小到 ~100nm尺度，更小的焦深對(duì)晶圓的平整度及納米形貌變化的容差要求極為苛刻，晶圓平整度的細(xì)微差異會(huì)消耗高達(dá) 50% 的光刻焦深(DOF)預(yù)算，故而必須更嚴(yán)格地控制晶圓平整度與形貌參數(shù)。
這款TG 300IF具備納米級(jí)平整度測(cè)量精度，可以非接觸、非破壞性的方式，一次性測(cè)量整個(gè)晶圓上數(shù)千萬(wàn)個(gè)點(diǎn)，快速精確地獲得晶圓翹曲、平整度及納米形貌分布信息，為先進(jìn)制程的芯片檢驗(yàn)提供高標(biāo)準(zhǔn)的量測(cè)工具，以助力于芯片制造商直擊焦深挑戰(zhàn)。
此外，TG 300IF還搭載了上海精測(cè)半導(dǎo)體自主開(kāi)發(fā)的硅片形貌及平整度數(shù)據(jù)分析及管理系統(tǒng)avelinkTM，可通過(guò)圖形化界面動(dòng)態(tài)展示二維/三維下的硅片形貌及平整度信息；且提供對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的分類(lèi)編輯管理功能；支持在離線(xiàn)模式下定義新的recipe完成對(duì)硅片形貌的批處理再分析；兼具配置Stress模塊獲得硅片的應(yīng)力分布；實(shí)現(xiàn)靈活配置測(cè)試結(jié)果的輸出類(lèi)目及輸出類(lèi)型。同時(shí)，基于與整機(jī)共享的數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)，WavelinkTM也可實(shí)時(shí)更新完成量測(cè)的硅片結(jié)果，及時(shí)輸送量測(cè)數(shù)據(jù)。此外，WavelinkTM還提供了MSA（Measure System Analysis）功能，幫助客戶(hù)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行量化分析，優(yōu)化生產(chǎn)過(guò)程。
特點(diǎn)
■最大可測(cè)量硅片 尺寸300mm
■最大可測(cè)量硅片 翹曲700μm
■高精度的相移干涉測(cè)量 ,橫向空間分辨率~60um
■低波像差的光學(xué)鏡頭設(shè)計(jì) 及微秒級(jí)的曝光時(shí)間,硅片表面測(cè)量分辨率可達(dá)~10nm
■硅片上所有位置可一次性全部測(cè)量
