近日，電科芯片成功突破高光閾值鈮酸鋰電光相位調(diào)制器關(guān)鍵技術(shù)并形成系列化產(chǎn)品，為高能激光、可控核聚變、引力波探測等提供關(guān)鍵器件支撐。
作為電光信號轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵“翻譯官”，鈮酸鋰電光相位調(diào)制器通過調(diào)制施加電壓，控制光束通過晶體后的相位變化，從而實現(xiàn)光信號的相位調(diào)制。電科芯片勇探光電子元器件“無人區(qū)”，突破多項關(guān)鍵核心技術(shù)，成功研制高光閾值鈮酸鋰電光相位調(diào)制器并形成系列化產(chǎn)品，具備低插入損耗、低半波電壓、高帶寬、高光閾值等特點，可用于光纖激光系統(tǒng)中的光譜展寬、光學(xué)相干合成以及相干通信系統(tǒng)中的信號調(diào)制等方面。
后續(xù)，項目團(tuán)隊將持續(xù)創(chuàng)新突破，研發(fā)更高頻、小型化、低能耗的鈮酸鋰電光相位調(diào)制器產(chǎn)品，為光電產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
