近年來，一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，近期攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來，雙方將合作攻克氮化鎵更快開關(guān)速度、更高開關(guān)頻率等一系列挑戰(zhàn)，讓優(yōu)異的氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域，一起為未來科技充電！

GaN測試挑戰(zhàn)

當(dāng)前整個(gè)電源產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著深刻的變革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)在眾多行業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用，也給電源的開發(fā)測試工作帶來了眾多的挑戰(zhàn)。

氮化鎵器件柵極電荷和寄生電容小，可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的開關(guān)頻率，同時(shí)這也帶來了測試的挑戰(zhàn)。一方面開通關(guān)斷速度更快，需要測試到ps級的開關(guān)速度，這需要示波器有更高的帶寬和共模抑制比；另一方面氮化鎵自身的寄生參數(shù)非常小，測試探頭的連接以及探頭電容引入的干擾會導(dǎo)致測量的波形不準(zhǔn)確甚至損壞器件，特別是橋式驅(qū)動(dòng)上管測試中，經(jīng)常遇到驅(qū)動(dòng)信號的準(zhǔn)確測試問題。

因此高帶寬，高共模抑制比，引入寄生參數(shù)小是測量氮化鎵器件時(shí)需要注意的。

近年來，泰克科技始終密切跟蹤最新技術(shù)的進(jìn)展，通過和業(yè)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)的密切合作來開發(fā)針對性的測試方案，基于其性能獨(dú)特的光隔離探頭以及示波器等產(chǎn)品，為廣大電源工程師們提供了卓越的完整測試解決方案。

英諾賽科

成立于2015年的英諾賽科，是一家專注于硅基氮化鎵研發(fā)與制造的IDM企業(yè)，率先建立起了全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線，主要生產(chǎn)30V-150V的低壓氮化鎵、650V及以上的高壓氮化鎵，應(yīng)用于5G基站、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、自動(dòng)駕駛、5G通訊、快充等領(lǐng)域，在全球氮化鎵功率廠商出貨量排行榜中名列前三。

英諾賽科通過自主研發(fā)，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具有寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高電子飽和漂移速度等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)就使得氮化鎵功率器件柵極電荷和輸出電容更小，無反向恢復(fù)，單位面積的導(dǎo)通電阻更小等特性。由此可以實(shí)現(xiàn)應(yīng)用系統(tǒng)的高頻率、高效率和高功率密度。

憑借優(yōu)異的物理特性，氮化鎵給產(chǎn)業(yè)應(yīng)用帶來巨大的系統(tǒng)優(yōu)勢，應(yīng)用前景非常廣闊。隨著規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)成熟，氮化鎵將成為未來功率半導(dǎo)體的主流，在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、5G基站、新能源車等多個(gè)領(lǐng)域，其需求將迎來爆發(fā)式增長。這些應(yīng)用領(lǐng)域也是泰克近年的業(yè)務(wù)側(cè)重方向。

未來，泰克科技和英諾賽科雙方將共同致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵芯片的研發(fā)與測試，攜手解決氮化鎵一系列挑戰(zhàn)，用創(chuàng)新和科學(xué)改變未來。

直擊氮化鎵領(lǐng)域無限可能

作為測試測量行業(yè)的領(lǐng)先者，泰克始終堅(jiān)持其先進(jìn)技術(shù)貫穿第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用的整個(gè)鏈條。泰克除了協(xié)助上游廠家設(shè)計(jì)生產(chǎn)更加可靠高質(zhì)量的功率器件，更會加力幫助功率器件應(yīng)用領(lǐng)域開拓者，發(fā)揮其最優(yōu)性能以設(shè)計(jì)更好的電源產(chǎn)品，攜手創(chuàng)建氮化鎵領(lǐng)域的無限可能！